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IPP320N20N3 G /MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3
IPP320N20N3 G的规格信息
IPP320N20N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:34 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

类型:OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:27 S

下降时间:4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPP320N20N3GXKSA1 IPP32N2N3GXK SP000677842

单位重量:6 g

供应商IPP320N20N3 G
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深圳和润天下电子科技有限公司IPP320N20N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市安富世纪电子有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市坤融电子有限公司IPP320N20N3 G航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城IPP320N20N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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集好芯城IPP320N20N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市仓实科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IPP320N20N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPP320N20N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPP320N20N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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